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IRL3803PBF  与  IPP080N03L G  区别

型号 IRL3803PBF IPP080N03L G
唯样编号 A-IRL3803PBF A-IPP080N03L G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 6mΩ@71A,10V 8mΩ
上升时间 - 3.6ns
栅极电压Vgs ±16V 20V
封装/外壳 TO-220AB PG-TO220-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 140A 50A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 - 2.8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA 2.2V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V 1900pF @ 15V
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 200W(Tc) 47W
典型关闭延迟时间 - 18ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5000pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 4.6ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 140nC @ 4.5V 18nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRL3803PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 6mΩ@71A,10V N-Channel 30V 140A TO-220AB

暂无价格 0 当前型号
STP90NF03L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 6,000 对比
STP90NF03L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

¥4.367 

阶梯数 价格
20: ¥4.367
100: ¥3.498
1,000: ¥3.344
1,000 对比
STP90NF03L STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

暂无价格 0 对比
IPP080N03L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

-55°C~175°C(TJ) PG-TO220-3 30V 50A 8mΩ 20V 47W N-Channel

暂无价格 0 对比
IRL3803 Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 140A(Tc) ±16V 200W(Tc) 6mΩ@71A,10V -55°C~175°C(TJ) TO220

暂无价格 0 对比

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